Jesteś tutaj: » »

LPDDR3 4Gb od Elpida

LPDDR3 4Gb od Elpida

LPDDR, czy też LPDDR SDRAM, jak brzmi pełna nazwa tej pamięci, to urządzenia, na które jest coraz większe zapotrzebowanie. Low Power Double Data Rate Dynamic Random Access Memory, mimo przerażającej większość z użytkowników nazwy, znajduje się w niemalże każdym przenośnym urządzeniu elektronicznym. Mówiąc wprost, jest to komputerowa pamięć ulotna o niskim zapotrzebowaniu energetycznym.

Trzeci w kolejności największy światowy producent pamięci RAM, japońska Elpida, ogłosiła plany produkcyjne dotyczące 4 Gb pamięci LPDDR3. Tego typu kości mają szansę podnieść potencjał smartphone’ów oraz tabletów w 2012 roku.

Kość pamięci 4Gb LPDDR3 opracowana przez Elpida oferuje 1600 MHz efektywnej prędkości zegara przy zachowaniu napięcia zasilania na poziomie 1,2V. Chip został wykonany przy użyciu 30nm procesu technologicznego i zapewnia transfer na poziomie 6,4 HB/s lub 12,8 GB/s przy użyciu dwóch bliźniaczych układów (dwa razy więcej niż LPDDR2). Transfery osiągnięto przy jednoczesnym 25% spadku zapotrzebowania na energię elektryczną, co dobrze wróży bateriom urządzeń przenośnych.

Mobile Memory Standard LPDDR2 LPDDR3 Wide IO
Data Input/Output (I/O) Width 32 32 512
Transfer na pin 800Mbps
(1066Mbps)
1600Mbps 200Mbps
Transfer na układ 3.2GB/s
(4.3GB/s)
6.4GB/s 12.8GB/s

W planach na przyszłość japońskiego producenta jest łączenie pojedynczych modułów w stosy, co umożliwi większe zagęszczenie pamięci. Tego typu kości spełnią standard Wide IO. Próbki nowych układów trafią do producentów pod koniec 2011 roku. Jeśli spotkają się z zainteresowaniem, w niecały rok później uruchomiona zostanie produkcja masowa nie tylko "zwykłych" modułów 4Gb, ale również warstwowych 8 i 16 Gb

Proces produkcyjny 30nm CMOS
Gęstość pamięci 4-gigabit / 8-gigabit / 16-gigabit
Package FBGA / PoP (Package on Package)
Data width x32-bit / x64-bit
Transfer na pin 1600Mbps (Max.)
Napięcie VDD1: 1.8V, VDD2/VDDCA/VDDQ: 1.2V
Temperatura pracy -30 to 85°C

Zobacz pozostałe newsy

2008: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12]

2009: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12]

2010: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10]

2011: [1] [2] [3] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12]

2012: [4] [7] [8] [9] [10] [12]

2013: [1] [3] [5] [7] [10] [11] [12]

2014: [4] [6] [9] [10] [11]

2015: [4] [5]

2016:

2017:

2018:

2019: [8]

2020:

2021:

2022:

2023:

2024: